FDP42AN15A0和IRFZ14PBF的区别_FDP42AN15A0代替型号-锐单商城

对比图 P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDP42AN15A0 IRFZ14PBF PSMN035-150P@127

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP42AN15A0 晶体管, MOSFET, 汽车, N沟道, 12 A, 150 V, 42 mohm, 10 V, 4 V功率MOSFET Power MOSFETPSMN035-150P@127

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) VISHAY (威世) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 -

额定电压(DC) 150 V 60.0 V -

额定电流 35.0 A 10.0 A -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.042 Ω 0.2 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 150 W 43 W -

阈值电压 4 V 2 V -

漏源极电压(Vds) 150 V 60 V -

漏源击穿电压 150 V 60.0 V -

连续漏极电流(Ids) 35.0 A 10.0 A -

上升时间 19 ns 50 ns -

输入电容(Ciss) 2150pF @25V(Vds) 300pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 150 W 43 W -

下降时间 23 ns 19 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 150W (Tc) 43 W -

输入电容 2.15 nF - -

栅电荷 30.0 nC - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

长度 10.67 mm 10.41 mm -

宽度 4.83 mm 4.7 mm -

高度 9.4 mm 9.01 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Rail, Tube Tube Tube

最小包装 - 50 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 - -