BD895A-S和D45H11

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD895A-S D45H11 D45H11G

描述 达林顿晶体管 120V 8A NPNSTMICROELECTRONICS  D45H11  单晶体管 双极, PNP, -80 V, 50 W, -10 A, 120 hFEPNP 功率晶体管,ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管

数据手册 ---

制造商 Bourns J.W. Miller (伯恩斯) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) - -80.0 V -80.0 V

额定电流 - -10.0 A -10.0 A

极性 NPN PNP, P-Channel PNP, P-Channel

耗散功率 - 50 W 2000 mW

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 80 V -80.0 V

集电极最大允许电流 8A - 10A

最小电流放大倍数(hFE) 750 @4A, 3V 40 @4A, 1V -

额定功率(Max) 2 W 50 W -

针脚数 - 3 -

直流电流增益(hFE) - 120 -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 50000 mW -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 - 10.4 mm -

宽度 - 4.6 mm -

高度 - 9.15 mm -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

香港进出口证 - NLR -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -

材质 - Silicon -

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