对比图
描述 P沟道,-20V,-4A,41mΩ@-4.5VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN304PZ 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.4 A, -20 V, 0.036 ohm, -4.5 V, -800 mVFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN304P 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.4 A, -20 V, 52 mohm, -4.5 V, -800 mV
数据手册 ---
制造商 Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
极性 P-CH P-Channel P-Channel
耗散功率 1.5 W 500 mW 500 mW
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V
连续漏极电流(Ids) 4A -2.40 A 2.40 A
输入电容(Ciss) 1450pF @10V(Vds) 1310pF @10V(Vds) 1312pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 1.5 W 460 mW 460 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1.5W (Ta) 500mW (Ta) 500mW (Ta)
额定电压(DC) - -20.0 V -20.0 V
额定电流 - -2.40 A -2.40 A
额定功率 - - 0.5 W
通道数 - 1 1
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.036 Ω 52 mΩ
输入电容 - 1.31 nF 1.31 nF
栅电荷 - 12.0 nC 12.0 nC
漏源击穿电压 - 20 V -200 V
栅源击穿电压 - ±8.00 V ±8.00 V
上升时间 - 15 ns 15 ns
下降时间 - 25 ns 15 ns
高度 1 mm 0.94 mm 0.94 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
长度 - 2.92 mm 2.92 mm
宽度 - 1.4 mm 1.4 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15
香港进出口证 NLR - -
ECCN代码 - EAR99 EAR99