BLF6G10LS-200R,118和BLF6G10LS-200,112

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BLF6G10LS-200R,118 BLF6G10LS-200,112 BLF6G10LS-200,118

描述 Trans RF MOSFET N-CH 65V 49A 3Pin SOT-502B T/RIC BASESTATION FINAL SOT502BRF MOSFET Transistors LDMOS TNS

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 晶体管晶体管晶体管

基础参数对比

安装方式 - - Surface Mount

封装 SOT502B SOT-502 SOT-502

频率 - 871.5 MHz 871.5 MHz

额定电流 - - 49 A

漏源极电阻 - - 60 mΩ

漏源击穿电压 - - 65 V

输出功率 - 40 W 40 W

增益 - 20.2 dB 20.2 dB

测试电流 - 1.4 A 1.4 A

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - 65 ℃

额定电压 - 65 V 65 V

长度 - - 20.7 mm

宽度 - - 9.91 mm

高度 - - 4.72 mm

封装 SOT502B SOT-502 SOT-502

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 - - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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