对比图
描述 OptiMOS2功率三极管 OptiMOS2 Power-TransistorFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6630A 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.5 A, 30 V, 38 mohm, 10 V, 1.7 V
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 PG-DSO-8 SOIC-8
额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V
额定电流 9.00 A 6.50 A
通道数 1 1
针脚数 - 8
漏源极电阻 11.9 mΩ 38 mΩ
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 1.56 W 2.5 W
阈值电压 1.6 V 1.7 V
输入电容 1.73 nF 460 pF
栅电荷 13.0 nC 5.00 nC
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
漏源击穿电压 30 V 30.0 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 11.0 A 6.50 A
上升时间 3.8 ns 8 ns
输入电容(Ciss) 1730pF @15V(Vds) 460pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 1.56 W 1 W
下降时间 3.8 ns 13 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1.56W (Ta) 2.5W (Ta)
长度 4.9 mm 4.9 mm
宽度 3.9 mm 3.9 mm
高度 1.75 mm 1.575 mm
封装 PG-DSO-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 - EAR99