IPA50R950CE和SPA04N50C3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPA50R950CE SPA04N50C3 IPA50R950CEXKSA1

描述 500V,4.3A,950mOhm,N沟道功率MOSFET酷MOS功率晶体管 Cool MOS Power TransistorTO-220FP N-CH 550V 4.3A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

引脚数 3 3 -

极性 N-CH N-CH N-CH

漏源极电压(Vds) 500 V 560 V 550 V

连续漏极电流(Ids) 4.3A 4.50 A 4.3A

上升时间 4.9 ns 5 ns 4.9 ns

下降时间 19.5 ns 10 ns 19.5 ns

耗散功率 26 W - -

输入电容(Ciss) 231pF @100V(Vds) 470pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 26 W 31 W -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 25.7W (Tc) 31000 mW -

额定电压(DC) - 560 V -

额定电流 - 4.50 A -

通道数 - 1 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

长度 10.65 mm 10.65 mm -

宽度 4.85 mm 4.7 mm -

高度 16.15 mm 16.15 mm -

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Rail, Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

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