IRF7319PBF和STS8C5H30L

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7319PBF STS8C5H30L FDS8958A

描述 INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF7319PBF  双路场效应管, N/P通道, MOSFET, 30V, SOIC 新STMICROELECTRONICS  STS8C5H30L  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 8 A, 30 V, 0.018 ohm, 10 V, 1.6 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS8958A  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 7 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.9 V

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电流 6.50 A 8.00 A 7.00 A

通道数 - 2 -

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 29 mΩ 0.018 Ω 0.019 Ω

极性 N-Channel, P-Channel N-Channel, P-Channel N-Channel, P-Channel

耗散功率 2 W 1.6 W 2 W

阈值电压 1 V 1.6 V 1.9 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V ±30.0 V

栅源击穿电压 - ±16.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 6.50 A 8.00 A, 4.20 A 7.00 A

上升时间 13.0 ns 35.0 ns 13.0 ns

输入电容(Ciss) 650pF @25V(Vds) 857pF @25V(Vds) 575pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2 W 2 W 900 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 2000 mW 2000 mW

额定功率 - - 1.6 W

输入电容 - - 528 pF

栅电荷 - - 9.60 nC

产品系列 IRF7319 - -

工作结温(Max) 150 ℃ - -

长度 5 mm 5 mm 5 mm

宽度 - 4 mm 4 mm

高度 1.5 mm 1.65 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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