对比图
型号 STP3LN62K3 STP5NK100Z FQP5N60C
描述 N 通道 MDmesh™ K3 系列，SuperMESH3™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STP5NK100Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 1 kV, 3.7 ohm, 10 V, 3.75 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP5N60C 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 600 V, 2 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 45 W 125 W 100 W
漏源极电压(Vds) 620 V 1 kV 600 V
上升时间 7 ns 7.7 ns 42 ns
输入电容(Ciss) 386pF @50V(Vds) 1154pF @25V(Vds) 670pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 45 W 125 W 100 W
下降时间 27 ns 19 ns 46 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 45W (Tc) 125W (Tc) 100000 mW
额定电压(DC) - 1.00 kV 600 V
额定电流 - 3.50 A 4.50 A
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 3.7 Ω 2 Ω
阈值电压 - 3.75 V 4 V
漏源击穿电压 - 1.00 kV 600 V
栅源击穿电压 - ±30.0 V ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) - 3.50 A 4.50 A
额定功率 - 125 W -
通道数 - 1 -
长度 10.4 mm 10.4 mm 10.1 mm
宽度 4.6 mm 4.6 mm 4.7 mm
高度 15.75 mm 9.15 mm 9.4 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99