对比图
型号 IPB47N10S-33 IPB47N10S33ATMA1 SPI47N10
描述 SIPMOS功率三极管特性N沟道增强模式 SIPMOS Power-Transistor Feature N-Channel Enhancement modeD2PAK N-CH 100V 47ASIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-262-3-1
极性 N-CH N-CH N-CH
耗散功率 175W (Tc) 175 W 175W (Tc)
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 47A 47A 47.0 A
输入电容(Ciss) 2500pF @25V(Vds) 2500pF @25V(Vds) 2500pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 175W (Tc) 175W (Tc) 175W (Tc)
上升时间 23 ns - -
下降时间 15 ns - -
额定电压(DC) - - 100 V
额定电流 - - 47.0 A
输入电容 - - 2.50 nF
栅电荷 - - 105 nC
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-262-3-1
长度 10 mm - -
宽度 9.25 mm - -
高度 4.4 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended Not Recommended for New Designs Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 Contains Lead
ECCN代码 EAR99 - -