PD55025-E和PD55025TR-E

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PD55025-E PD55025TR-E PD55025

描述 LDMOST 系列 N沟道 增强模式 射频 功率晶体管 PowerSO-10RFTrans RF MOSFET N-CH 40V 7A 3Pin PowerSO-10RF (Formed lead) T/RRF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 晶体管晶体管晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 3 -

封装 PowerSO-10RF PowerSO-10RF-2 PowerSO-10

频率 500 MHz 500 MHz 500 MHz

耗散功率 79 W 79000 mW 79.0 W

漏源极电压(Vds) 40.0 V 40 V -

漏源击穿电压 40 V 12.5 V 40.0 V

输出功率 25 W 25 W 25 W

增益 14.5 dB 14.5 dB 14.5 dB

测试电流 200 mA 200 mA 200 mA

输入电容(Ciss) 86pF @12.5V(Vds) 86pF @12.5V(Vds) -

工作温度(Max) 165 ℃ 165 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 79000 mW 79000 mW -

额定电压 40 V 40 V 40 V

额定电压(DC) 40.0 V - -

额定电流 7 A - -

连续漏极电流(Ids) 7.00 A - 7.00 A

极性 - - N-Channel

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

封装 PowerSO-10RF PowerSO-10RF-2 PowerSO-10

长度 7.5 mm - -

宽度 9.4 mm - -

高度 3.5 mm - -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

工作温度 -65℃ ~ 165℃ - -

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