对比图
型号 MMBT2222ALT1G SMMBT2222ALT1G MMBT2222A
描述 ON SEMICONDUCTOR MMBT2222ALT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 300 MHz, 225 mW, 600 mA, 300 hFENPN 晶体管，最大 1A，On Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBT2222A 单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 300 MHz, 350 mW, 1 A, 300 hFE
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
频率 300 MHz 300 MHz 300 MHz
针脚数 3 3 3
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 225 mW 225 mW 350 mW
击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V
集电极最大允许电流 0.6A 0.6A -
最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 10V 40 100 @150mA, 10V
额定功率(Max) 225 mW 225 mW 350 mW
直流电流增益(hFE) 300 40 300
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
工作结温 - -55℃ ~ 150℃ -
耗散功率(Max) 300 mW 300 mW 0.35 W
额定电压(DC) 40.0 V - 40.0 V
额定电流 600 mA - 500 mA
额定功率 225 mW - -
增益频宽积 300 MHz - -
最大电流放大倍数(hFE) - - 300
长度 2.9 mm 3.04 mm 2.92 mm
宽度 1.3 mm 2.64 mm 1.3 mm
高度 0.94 mm 1.11 mm 0.93 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
材质 Silicon Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
香港进出口证 NLR - NLR