对比图
型号 STW11NK100Z STW20NK50Z IXTH5N100A
描述 STMICROELECTRONICS STW11NK100Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8.3 A, 1 kV, 1.38 ohm, 10 V, 3.75 VN 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsTO-247AD N-CH 1000V 5A
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
额定电压(DC) 1.00 kV 500 V 1.00 kV
额定电流 8.30 A 17.0 A 5.00 A
额定功率 230 W 190 W 180 W
通道数 - 1 -
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 1.38 Ω 0.23 Ω -
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 230 W 190 W 180 W
阈值电压 3.75 V 3.75 V -
输入电容 - 2600 pF -
漏源极电压(Vds) 1000 V 500 V 1000 V
漏源击穿电压 1.00 kV 500 V -
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -
连续漏极电流(Ids) 8.30 A 17.0 A 5A
上升时间 18 ns 20 ns 20 ns
输入电容(Ciss) 3500pF @25V(Vds) 2600pF @25V(Vds) 2600pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 230 W 190 W 180 W
下降时间 55 ns 15 ns 30 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 230W (Tc) 190W (Tc) 180W (Tc)
长度 15.75 mm 15.75 mm -
宽度 5.15 mm 5.15 mm -
高度 20.15 mm 20.15 mm -
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2014/06/16 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99