FJV4103RMTF和MUN2112T1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FJV4103RMTF MUN2112T1G DTA124EKAT146

描述 特点•开关应用(偏置电阻内置)•开关电路,逆变器,接口电路,驱动器电路•内置偏置电阻(R1=22KΩ,R2=22KΩ)•到FJV3103R补偏置电阻晶体管 Bias Resistor TransistorROHM  DTA124EKAT146  单晶体管 双极, 数字式, PNP, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 100 mA, 56 hFE

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) -50.0 V -50.0 V -50.0 V

额定电流 -100 mA -100 mA -30.0 mA

无卤素状态 - Halogen Free -

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 200 mW 0.338 W 200 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 56 @5mA, 5V 60 @5mA, 10V 56 @5mA, 5V

额定功率(Max) 200 mW 230 mW 200 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 200 mW 338 mW 200 mW

最大电流放大倍数(hFE) 56 - 56

增益带宽 200 MHz - 250 MHz

额定功率 - - 0.2 W

直流电流增益(hFE) - - 56

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 2.92 mm - 3 mm

宽度 1.3 mm - 1.8 mm

高度 0.93 mm - 1.2 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台