对比图
型号 SFR9034 SPD08P06P STD10PF06T4
描述 先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFETInfineon SIPMOS® P 通道 MOSFET**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表） · 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准STMICROELECTRONICS STD10PF06T4 晶体管, MOSFET, P沟道, -10 A, -60 V, 0.18 ohm, -10 V, -4 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
引脚数 - 3 3
极性 P-CH P-CH P-Channel
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 14A 8.80 A 10.0 A
输入电容(Ciss) 1155pF @25V(Vds) 335pF @25V(Vds) 850pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W - 40 W
额定电压(DC) - -60.0 V -60.0 V
额定电流 - -8.80 A -10.0 A
通道数 - 1 1
耗散功率 - 42W (Tc) 40 W
输入电容 - 420 pF -
栅电荷 - 15.0 nC -
上升时间 - 46 ns 40 ns
下降时间 - 14 ns 10 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ 65 ℃
耗散功率(Max) - 42W (Tc) 40W (Tc)
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 0.18 Ω
阈值电压 - - 4 V
漏源击穿电压 - - 60 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
长度 - 6.5 mm 6.6 mm
宽度 - 6.22 mm 6.2 mm
高度 - 2.3 mm 2.4 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17