JANTX2N5672和JANTXV2N5671

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTX2N5672 JANTXV2N5671 JANTX2N6675

描述 NPN大功率硅晶体管 NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTORNPN大功率硅晶体管 NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTORTrans GP BJT NPN 400V 15A 3Pin(2+Tab) TO-3

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-3 TO-3 TO-3

工作温度(Max) 200 ℃ - 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 6000 mW - 6000 mW

极性 NPN - -

耗散功率 6 W - -

击穿电压(集电极-发射极) 120 V - -

集电极最大允许电流 30A - -

最小电流放大倍数(hFE) 20 @15A, 2V - -

额定功率(Max) 6 W - -

封装 TO-3 TO-3 TO-3

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray - Tray

RoHS标准 Non-Compliant - Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead - -

ECCN代码 EAR99 - -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台