对比图
型号 JANTX2N5672 JANTXV2N5671 JANTX2N6675
描述 NPN大功率硅晶体管 NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTORNPN大功率硅晶体管 NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTORTrans GP BJT NPN 400V 15A 3Pin(2+Tab) TO-3
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-3 TO-3 TO-3
工作温度(Max) 200 ℃ - 200 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃
耗散功率(Max) 6000 mW - 6000 mW
极性 NPN - -
耗散功率 6 W - -
击穿电压(集电极-发射极) 120 V - -
集电极最大允许电流 30A - -
最小电流放大倍数(hFE) 20 @15A, 2V - -
额定功率(Max) 6 W - -
封装 TO-3 TO-3 TO-3
材质 Silicon - Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) - -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tray - Tray
RoHS标准 Non-Compliant - Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead - -
ECCN代码 EAR99 - -