对比图
型号 PBSS3515E PBSS3515E,115 PBSS3515M,315
描述 15 V ， 0.5 A PNP低VCEsat晶体管（ BISS ）晶体管 15 V, 0.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistorNXP PBSS3515E,115 单晶体管 双极, PNP, -15 V, 280 MHz, 150 mW, -500 mA, 200 hFEDFN PNP 15V 0.5A
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SC-75 SOT-416 SOT-883
极性 PNP PNP PNP
击穿电压(集电极-发射极) 15 V 15 V 15 V
集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.5A
频率 - 280 MHz 280 MHz
耗散功率 - 150 mW 0.43 W
最小电流放大倍数(hFE) - 150 @100mA, 2V 150 @100mA, 2V
额定功率(Max) - 250 mW 430 mW
耗散功率(Max) - - 430 mW
针脚数 - 3 -
直流电流增益(hFE) - 200 -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - -65 ℃ -
封装 SC-75 SOT-416 SOT-883
产品生命周期 Unknown Obsolete Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
工作温度 - 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)