对比图
型号 IXFH96N20P STW90NF20 IXTQ102N20T
描述 N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备N沟道200 V， 0.019 Ω ， 83 A， TO- 247低栅极电荷的STripFET ™功率MOSFET N-channel 200 V, 0.019 Ω, 83 A, TO-247 low gate charge STripFET™ Power MOSFETTO-3P N-CH 200V 102A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-3-3
引脚数 3 3 -
极性 N-CH N-CH N-CH
耗散功率 600 W 300 W 750W (Tc)
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 96A 83A 102A
输入电容(Ciss) 4800pF @25V(Vds) 5736pF @25V(Vds) 6800pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 600W (Tc) 300W (Tc) 750W (Tc)
通道数 1 1 -
针脚数 3 - -
漏源极电阻 0.024 Ω 23 mΩ -
阈值电压 5 V - -
上升时间 30 ns 138 ns -
额定功率(Max) 600 W 300 W -
下降时间 30 ns 142 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -
漏源击穿电压 - 200 V -
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-3-3
长度 16.26 mm 15.75 mm -
宽度 5.3 mm 5.15 mm -
高度 21.46 mm 20.15 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -50℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs End of Life
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99 -