BC308C和MPSW56

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC308C MPSW56 BC307B

描述 PNP外延硅晶体管 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORPNP通用放大器 PNP General Purpose AmplifierTransistor

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Jiangsu Changjiang Electronics Technology

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-92-3 TO-226-3 -

引脚数 3 - -

额定电压(DC) -25.0 V -80.0 V -

额定电流 -100 mA -1.00 A -

击穿电压(集电极-发射极) 25 V 80 V -

最小电流放大倍数(hFE) 380 @2mA, 5V 50 @250mA, 1V -

额定功率(Max) 500 mW 1 W -

耗散功率 0.5 W - -

增益频宽积 130 MHz - -

最大电流放大倍数(hFE) 800 - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) 55 ℃ - -

封装 TO-92-3 TO-226-3 -

长度 4.58 mm - -

宽度 3.86 mm - -

高度 4.58 mm - -

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bulk Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台