FJV3112R和FJV3112RMTF

对比图

型号 FJV3112R FJV3112RMTF FJV3110R

描述 NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor特性•开关电路，逆变器，接口电路，驱动器电路•内置偏置电阻（R=47KΩ）•FJV4112R的补充NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 -

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23

额定电压(DC) - 40.0 V -

额定电流 - 100 mA -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 - 200 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) - 100 @1mA, 5V -

最大电流放大倍数(hFE) - 600 -

额定功率(Max) - 200 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

增益带宽 - 250 MHz -

耗散功率(Max) - 200 mW -

长度 - 2.92 mm -

宽度 - 1.3 mm -

高度 - 0.93 mm -

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23

产品生命周期 Obsolete Unknown Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -