FJV3112R参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

FJV3112R中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 100mA

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

其他

产品生命周期 Obsolete

数据手册

在线购买FJV3112R

型号： FJV3112R

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor

替代型号FJV3112R

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
FJV3112R Fairchild 飞兆/仙童	当前型号	当前型号
FJV3111RMTF 飞兆/仙童	功能相似	FJV3112R和FJV3111RMTF的区别
FJV3112RMTF 飞兆/仙童	功能相似	FJV3112R和FJV3112RMTF的区别
FJV3109RMTF 飞兆/仙童	功能相似	FJV3112R和FJV3109RMTF的区别