对比图
型号 SUD50P04-08 SUD50P04-08-GE3
描述 VISHAY SUD50P04-08 晶体管, MOSFET, P沟道, -50 A, -40 V, 0.012 ohm, -10 V, -1 VVISHAY SUD50P04-08-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -50 A, -40 V, 6.7 mohm, -10 V, -1 V
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-252 TO-252
针脚数 3 3
漏源极电阻 0.012 Ω 0.0067 Ω
极性 P-Channel P-Channel
耗散功率 3 W 73.5 W
上升时间 - 12 ns
下降时间 - 18 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 73.5 W
长度 - 6.73 mm
宽度 - 6.22 mm
高度 - 2.38 mm
封装 TO-252 TO-252
工作温度 - -55℃ ~ 150℃
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Exempt RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15
ECCN代码 - EAR99