IPB45N06S3-16和IPD144N06NG

对比图

型号 IPB45N06S3-16 IPD144N06NG BUK9E15-60E,127

描述 的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-TransistorOptiMOS㈢功率三极管 OptiMOS㈢ Power-TransistorI2PAK N-CH 60V 54A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦)

分类 MOS管晶体管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

封装 TO-263-3 TO-252 TO-262-3

引脚数 3 - -

极性 N-CH - N-CH

耗散功率 65W (Tc) - 96W (Tc)

漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 45.0 A 50.0 A 54A

输入电容(Ciss) 2980pF @25V(Vds) 1900pF @30V(Vds) 2651pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 65 W 136 W 96 W

耗散功率(Max) 65W (Tc) - 96W (Tc)

额定电压(DC) 55.0 V 60.0 V -

额定电流 45.0 A 50.0 A -

输入电容 2.98 nF 1.90 nF -

栅电荷 57.0 nC 54.0 nC -

上升时间 61 ns - -

下降时间 68 ns - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 TO-263-3 TO-252 TO-262-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅