FQU4N20TU和IRFU210

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQU4N20TU IRFU210 IRFU210PBF

描述 Trans MOSFET N-CH 200V 3A 3Pin(3+Tab) IPAK RailMOSFET N-CH 200V 2.6A I-PAKTrans MOSFET N-CH 200V 2.6A 3Pin(3+Tab) IPAK

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-251-3

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 2.5W (Ta), 30W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc)

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 3.00 A 2.60 A -

输入电容(Ciss) 220pF @25V(Vds) 140pF @25V(Vds) 140pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 30W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc)

额定电压(DC) 200 V - -

额定电流 3.00 A - -

漏源极电阻 1.40 Ω - -

漏源击穿电压 200 V - -

栅源击穿电压 ±30.0 V - -

额定功率(Max) - - 2.5 W

长度 - 6.73 mm -

宽度 - 2.39 mm -

高度 - 6.22 mm -

封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-251-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

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