FDD6N20TF和PHD9NQ20T,118

对比图

型号 FDD6N20TF PHD9NQ20T,118 2SK214

描述 N沟道MOSFET N-Channel MOSFETN沟道 VDS=200V VGS=±30V ID=8.7A P=88W硅N沟道MOS FET Silicon N Channel MOS FET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Nexperia (安世) Renesas Electronics (瑞萨电子)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-220

引脚数 - 3 -

额定电压(DC) - - 160 V

额定电流 - - 500 mA

极性 N-CH - N-CH

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 160 V

连续漏极电流(Ids) 4.5A - 500 mA

耗散功率 40W (Tc) 88W (Tc) -

输入电容(Ciss) 230pF @25V(Vds) 959pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 40 W 88 W -

耗散功率(Max) 40W (Tc) 88W (Tc) -

输入电容 - 959 pF -

上升时间 - 19 ns -

下降时间 - 15 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-220

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Contains Lead

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

ECCN代码 EAR99 - -