FQD5N30TM和FQD7N30TM

对比图

型号 FQD5N30TM FQD7N30TM FQD5N30TF

描述 N沟道 300V 4.4AQFET® N 通道 MOSFET，高达 5.9A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。N沟道 300V 4.4A

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 300 V 300 V 300 V

额定电流 4.30 A 5.50 A 4.30 A

通道数 1 1 -

漏源极电阻 900 mΩ 700 mΩ 900 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5W (Ta), 45W (Tc)

漏源极电压(Vds) 300 V 300 V 300 V

漏源击穿电压 300 V 300 V 300 V

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 4.40 A 5.50 A 4.40 A

上升时间 55 ns 75 ns -

输入电容(Ciss) 430pF @25V(Vds) 610pF @25V(Vds) 430pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W 2.5 W

下降时间 27 ns 35 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 45W (Tc) 2500 mW 2.5W (Ta), 45W (Tc)

长度 6.73 mm 6.6 mm -

宽度 6.22 mm 6.1 mm -

高度 2.39 mm 2.3 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99