2N2219A和JAN2N2219AL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N2219A JAN2N2219AL 2N2219

描述 STMICROELECTRONICS  2N2219A  单晶体管 双极, NPN, 40 V, 300 MHz, 800 mW, 600 mA, 300 hFE双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Ampl/Switch

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美) Central Semiconductor

分类 双极性晶体管晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole - Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-39 TO-5-3 TO-39-3

频率 250 MHz - -

额定电压(DC) 75.0 V - -

额定电流 600 mA - -

额定功率 800 mW - -

针脚数 3 - -

极性 NPN NPN -

耗散功率 800 mW - 800 mW

集电极击穿电压 75.0 V - -

击穿电压(集电极-发射极) 30 V - 30 V

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 10V - 100 @150mA, 10V

额定功率(Max) 800 mW - 800 mW

直流电流增益(hFE) 300 - -

工作温度(Max) 175 ℃ 200 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 800 mW 800 mW -

封装 TO-39 TO-5-3 TO-39-3

长度 - - 9.4 mm

宽度 - - 9.4 mm

高度 - - 6.6 mm

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -65℃ ~ 175℃ - -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Bag Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

军工级 - Yes -

ECCN代码 EAR99 - -

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