对比图
型号 BST82,235 2N7002,215 BST82,215
描述 N沟道 VDS=100V VGS=2V ID=190mA P=830mWNexperia Si N沟道 MOSFET 2N7002,215, 300 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装Nexperia Si N沟道 MOSFET BST82,215, 190 mA, Vds=100 V, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
数据手册 ---
制造商 Nexperia (安世) Nexperia (安世) Nexperia (安世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 10 Ω 2.8 Ω 5 Ω
极性 - N-Channel -
耗散功率 830 mW 0.83 W 830 mW
阈值电压 - 2 V 2 V
输入电容 25 pF 31 pF 25 pF
漏源极电压(Vds) - 60 V 100 V
连续漏极电流(Ids) - 300 mA -
正向电压(Max) - 1.2 V -
输入电容(Ciss) 40pF @10V(Vds) 50pF @10V(Vds) 40pF @10V(Vds)
额定功率(Max) - 830 mW 830 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 830mW (Tc) 830 mW 830 mW
通道数 1 - -
漏源击穿电压 100 V - -
长度 3 mm 3 mm 3 mm
宽度 1.4 mm 1.4 mm 1.4 mm
高度 1 mm 1 mm 1 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 无铅 无铅
REACH SVHC标准 - No SVHC -