N64S830HAS22I和N64S830HAT22I

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 N64S830HAS22I N64S830HAT22I N64S830HAS22IT

描述 RAM,ON Semiconductor串行静态随机存取存储器 (SRAM)。### SRAM(静态随机存取存储器)N64S830HA 系列 64 K字节 3 V 低功耗 串行 SRAM - TSSOP-864Kb的低功耗串行SRAM的8K × 8位组织 64Kb Low Power Serial SRAMs 8K × 8 bit Organization

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 TSSOP-8 SOIC-8

电源电压(DC) 2.50V (min) 2.50V (min) -

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -

供电电流 - 10 mA -

时钟频率 20 MHz 20.0 MHz -

位数 8 8 8

存取时间 25 ns 25 ns -

内存容量 8000 B 8000 B -

存取时间(Max) 25 ns 25 ns 25 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V

频率 20 MHz - -

封装 SOIC-8 TSSOP-8 SOIC-8

长度 5 mm - -

宽度 4 mm - -

高度 1.5 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tray Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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