FQU12N20和FQU12N20TU

对比图

型号 FQU12N20 FQU12N20TU

描述 200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFETN沟道MOSFET QFET® 200 V， 9 A， 280英里© N-Channel QFET® MOSFET 200 V, 9 A, 280 mΩ

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

引脚数 - -

封装 IPAK TO-251-3

安装方式 Through Hole Through Hole

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V

上升时间 - 120 ns

输入电容(Ciss) - 910pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 2.5 W

下降时间 - 55 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃

耗散功率(Max) - 2.5W (Ta), 55W (Tc)

额定电压(DC) - 200 V

额定电流 - 9.00 A

通道数 - 1

漏源极电阻 - 280 mΩ

极性 N-CH N-Channel

耗散功率 - 2.5 W

漏源击穿电压 - 200 V

栅源击穿电压 - ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 9A 9.00 A

封装 IPAK TO-251-3

长度 - 6.8 mm

宽度 - 2.5 mm

高度 - 6.3 mm

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tube

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 - EAR99