DS1230AB-200+和DS1230AB-150+

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1230AB-200+ DS1230AB-150+ DS1230AB-100+

描述 MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1230AB-200+  芯片, 存储器, NVRAMMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1230AB-150+  芯片, 存储器, NVRAMMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1230AB-100+  芯片, 存储器, NVRAM

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 28 28 28

封装 DIP-28 DIP-28 EDIP-28

电源电压(DC) 5.00 V, 5.25 V (max) 5.00 V, 5.25 V (max) 5.00 V, 5.25 V (max)

针脚数 28 28 28

时钟频率 200 GHz 150 GHz 100 GHz

存取时间 200 ns 150 ns 100 ns

内存容量 32000 B 256000 B 32000 B

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 4.75V ~ 5.25V 4.75V ~ 5.25V 4.75V ~ 5.25V

电源电压(Max) 5.25 V 5.25 V 5.25 V

电源电压(Min) 4.75 V 4.75 V 4.75 V

长度 39.12 mm 39.12 mm 39.12 mm

宽度 18.8 mm 18.8 mm 18.8 mm

高度 9.4 mm 9.4 mm 9.4 mm

封装 DIP-28 DIP-28 EDIP-28

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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