对比图
型号 PSMN5R0-30YL PSMN5R0-30YL,115
描述 N 通道 MOSFET，10A 至 99A，NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管，NXP SemiconductorsNexperia Si N沟道 MOSFET PSMN5R0-30YL,115, 91 A, Vds=30 V, 4引脚 SOT-669封装
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) Nexperia (安世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 4 4
封装 SOT-669 SOT-669
耗散功率 61 W 61W (Tc)
输入电容 - 1760 pF
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
上升时间 - 35 ns
输入电容(Ciss) 1760pF @12V(Vds) 1760pF @12V(Vds)
额定功率(Max) - 61 W
下降时间 - 12 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 61 W 61W (Tc)
漏源极电阻 0.00363 Ω -
极性 N-Channel -
阈值电压 1.7 V -
连续漏极电流(Ids) 84.0 A -
长度 5 mm 5 mm
宽度 4.1 mm 4.1 mm
高度 1.1 mm 1.1 mm
封装 SOT-669 SOT-669
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅
REACH SVHC版本 2015/12/17 -