对比图



型号 BC856BW-7-F BC856BW,135 BC 856BW E6433
描述 Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW Automotive 3Pin SOT-323 T/RSC-70 PNP 65V 0.1A双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon AF TRANSISTOR
数据手册 ---
制造商 Diodes (美台) NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 -
封装 SOT-323-3 SOT-323-3 SOT-323-3
频率 200 MHz 100 MHz -
极性 - PNP -
耗散功率 0.2 W 0.2 W 250 mW
击穿电压(集电极-发射极) 65 V 65 V 65 V
集电极最大允许电流 - 0.1A -
最小电流放大倍数(hFE) 220 @2mA, 5V 220 @2mA, 5V 220 @2mA, 5V
最大电流放大倍数(hFE) - 220 @2mA, 5V -
额定功率(Max) 200 mW 200 mW 250 mW
耗散功率(Max) 200 mW 200 mW -
额定电压(DC) -65.0 V - 10.0 V
电容 - - 1.50 pF
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃
额定电流 -100 mA - -
封装 SOT-323-3 SOT-323-3 SOT-323-3
长度 - - 2 mm
宽度 - - 1.25 mm
高度 - - 0.9 mm
工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
ECCN代码 EAR99 - -