VN2410L-G和VN2410LG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 VN2410L-G VN2410LG VN2410L-G-P013

描述 Supertex N 通道增强型模式 MOSFET 晶体管Microchip Supertex 系列 N 通道增强型模式(常闭)DMOS FET 晶体管适合各种需要低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗,低输入电容和快速切换速度的开关和放大应用。### MOSFET 晶体管,Microchip小信号N沟道TO-92-3封装场效应管Trans MOSFET N-CH Si 240V 0.19A 3Pin TO-92 T/R

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) ON Semiconductor (安森美) Microchip (微芯)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3

耗散功率 1 W 350mW (Tc) 1 W

漏源极电压(Vds) 240 V 240 V 240 V

上升时间 8 ns - 8 ns

输入电容(Ciss) 125 pF 125pF @25V(Vds) 125pF @25V(Vds)

下降时间 24 ns - 24 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1W (Tc) 350mW (Tc) 1W (Tc)

额定功率 1 W - -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 10 Ω 10.0 Ω -

阈值电压 2 V - -

额定电压(DC) - 240 V -

额定电流 - 200 mA -

极性 - N-Channel -

漏源击穿电压 - 240 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) - 200 mA -

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3

长度 5.2 mm - -

宽度 4.19 mm - -

高度 5.33 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bag Bulk Ammo Pack

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

ECCN代码 - EAR99 -

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