对比图
型号 IPD30N06S2L-13 IPD30N06S2L13ATMA4 SPD30N06S2L-13
描述 INFINEON IPD30N06S2L-13 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 55 V, 0.0106 ohm, 10 V, 1.6 V晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 55 V, 0.0106 ohm, 10 V, 1.6 V的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.0106 Ω 0.0106 Ω -
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 136 W 136 W 136W (Tc)
阈值电压 1.6 V 1.6 V -
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
上升时间 43 ns 43 ns -
输入电容(Ciss) 1800pF @25V(Vds) 1800pF @25V(Vds) 2300pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 136 W 136 W
下降时间 21 ns 21 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 136W (Tc) 136000 mW 136W (Tc)
连续漏极电流(Ids) 30A - 30.0 A
额定电压(DC) - - 55.0 V
额定电流 - - 30.0 A
输入电容 - - 2.30 nF
栅电荷 - - 69.0 nC
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
长度 6.73 mm - -
宽度 6.22 mm - -
高度 2.41 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -