BC556和BC557B

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC556 BC557B BC556BG

描述 PNP外延硅晶体管 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORTransistor: PNP; bipolar; 45V; 100mA; 0.5W(1/2W); TO92放大器晶体管PNP硅 Amplifier Transistors PNP Silicon

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Diotec Semiconductor ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 TO-92 TO-92-3

频率 150 MHz 150 MHz 280 MHz

耗散功率 0.5 W 0.5 W 625 mW

增益频宽积 - 150 MHz -

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 500 mW 625 mW

额定电压(DC) -65.0 V - -65.0 V

额定电流 -100 mA - -100 mA

极性 PNP, P-Channel - PNP

击穿电压(集电极-发射极) 65 V - 65 V

最小电流放大倍数(hFE) 110 @2mA, 5V - 180 @2mA, 5V

额定功率(Max) 500 mW - 625 mW

集电极最大允许电流 - - 0.1A

封装 TO-226-3 TO-92 TO-92-3

长度 - - 5.2 mm

宽度 - - 4.19 mm

高度 - - 5.33 mm

材质 - Silicon Silicon

工作温度 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Bulk Roll, Tape Box

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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