RFP2N12L和RFP50N06

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 RFP2N12L RFP50N06 RFP30P05

描述 2A , 120V , 1.750欧姆,逻辑电平, N沟道功率MOSFET 2A, 120V, 1.750 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETON Semiconductor MegaFET 系列 Si N沟道 MOSFET RFP50N06, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装30A , 50V , 0.065欧姆,P沟道功率MOSFET 30A, 50V, 0.065 Ohm, P-Channel Power MOSFETs

数据手册 ---

制造商 Intersil (英特矽尔) ON Semiconductor (安森美) Intersil (英特矽尔)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole -

引脚数 - 3 -

封装 - TO-220-3 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.022 Ω -

耗散功率 - 131 W -

阈值电压 - 4 V -

漏源极电压(Vds) - 60 V -

上升时间 - 55 ns -

输入电容(Ciss) - 2020pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 131 W -

下降时间 - 13 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 131 W -

长度 - 10.67 mm -

宽度 - 4.83 mm -

高度 - 9.4 mm -

封装 - TO-220-3 -

材质 - Silicon -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 - Tube -

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

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