对比图



描述 2A , 120V , 1.750欧姆,逻辑电平, N沟道功率MOSFET 2A, 120V, 1.750 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETON Semiconductor MegaFET 系列 Si N沟道 MOSFET RFP50N06, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装30A , 50V , 0.065欧姆,P沟道功率MOSFET 30A, 50V, 0.065 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
数据手册 ---
制造商 Intersil (英特矽尔) ON Semiconductor (安森美) Intersil (英特矽尔)
分类 MOS管
安装方式 - Through Hole -
引脚数 - 3 -
封装 - TO-220-3 -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.022 Ω -
耗散功率 - 131 W -
阈值电压 - 4 V -
漏源极电压(Vds) - 60 V -
上升时间 - 55 ns -
输入电容(Ciss) - 2020pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) - 131 W -
下降时间 - 13 ns -
工作温度(Max) - 175 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
耗散功率(Max) - 131 W -
长度 - 10.67 mm -
宽度 - 4.83 mm -
高度 - 9.4 mm -
封装 - TO-220-3 -
材质 - Silicon -
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -
产品生命周期 Unknown Active Unknown
包装方式 - Tube -
RoHS标准 - RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free -