对比图
型号 IPS1021PBF VNP20N07-E VNP14NV04-E
描述 Power Switch Lo Side 13.5A 3Pin(3+Tab) TO-220STMICROELECTRONICS VNP20N07-E 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 80 V, 50 mohm, 10 V, 3 VOMNIFET 全自动保护功率 MOSFET，STMicroelectronicsOMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器，根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载，尤其是汽车环境。线性电流限制 热关闭 短路保护 ESD 保护 一体式夹 ### 智能电源开关，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 FET驱动器MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
电源电压(DC) 4.50V (min) - -
工作电压 36.0V (max) - -
额定功率 25 W 83 W -
输出接口数 1 1 1
输入电压(DC) 5.50 V - -
输出电流 6 A 28 A 24 A
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 25 W 83 W 70 W
产品系列 IPS1021 - -
连续漏极电流(Ids) 6.00 A 10.0 A 7.00 A
输出电流(Max) 13.5 A 14 A 12 A
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ - 40 ℃
电源电压 4.5V ~ 5.5V - -
输入电压 4.5V ~ 5.5V 18 V -
供电电流 - - 0.1 mA
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.05 Ω 0.035 Ω
阈值电压 - 3 V 2.5 V
漏源极电压(Vds) - 80 V 55 V
漏源击穿电压 - 70.0 V 40.0 V
上升时间 - - 350 ns
输出电流(Min) - - 12 A
输入数 - 1 1
下降时间 - - 150 ns
耗散功率(Max) - 83000 mW 74000 mW
通道数 - 1 -
输入电压(Max) - 18 V -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 - - 10.4 mm
宽度 - - 9.35 mm
高度 - 9.15 mm 4.6 mm
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) - -40℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Unknown
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99