IRFR110ATF和IRFR110ATM

对比图

型号 IRFR110ATF IRFR110ATM IRFR110A

描述 Trans MOSFET N-CH 100V 4.7A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFETPower Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Samsung (三星)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole -

封装 TO-252-3 DPAK -

额定电压(DC) - 100 V -

额定电流 - 4.70 A -

漏源极电阻 400 mΩ 400 mΩ -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 20 W 2.50 W -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 4.70 A 4.70 A -

通道数 1 - -

漏源击穿电压 100 V - -

上升时间 14 ns - -

下降时间 18 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) 55 ℃ - -

封装 TO-252-3 DPAK -

长度 6.73 mm - -

宽度 6.22 mm - -

高度 2.39 mm - -

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -