对比图
型号 MUN5131DW1T1 MUN5131DW1T1G
描述 Dual Bias Resistor Transistors双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors
数据手册 --
制造商 Leshan Radio (乐山无线电) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管
安装方式 - Surface Mount
引脚数 - 6
封装 - SC-70-6
额定电压(DC) - -50.0 V
额定电流 - -100 mA
无卤素状态 - Halogen Free
极性 - PNP
耗散功率 - 0.385 W
击穿电压(集电极-发射极) - 50 V
集电极最大允许电流 - 100mA
最小电流放大倍数(hFE) - 8 @5mA, 10V
最大电流放大倍数(hFE) - 8 @5mA, 10V
额定功率(Max) - 250 mW
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 385 mW
长度 - 2 mm
宽度 - 1.25 mm
高度 - 0.9 mm
封装 - SC-70-6
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 - RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free
ECCN代码 - EAR99