BLF245和BLF245B

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BLF245 BLF245B

描述 VHF功率MOS晶体管 VHF power MOS transistor甚高频推挽功率MOS晶体管 VHF push-pull power MOS transistor

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Flange Flange

封装 SOT123A SOT279A

电源电压(DC) 28.0 V 28.0 V

额定电压(DC) 65.0 V 65.0 V

额定电流 6.00 A 4.50 A

极性 N-Channel -

耗散功率 68.0 W -

漏源极电压(Vds) 65.0 V 65.0 V

漏源击穿电压 65.0V (min) 65.0V (min)

连续漏极电流(Ids) 6.00 A 4.50 A

输出功率 30.0 W 30.0 W

增益 13.0 dB 14.0 dB

封装 SOT123A SOT279A

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Bulk Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99

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