对比图
型号 STP165N10F4 PSMN5R0-100PS,127 FDP047N10
描述 TO-220 N-CH 100V 120ATO-220AB N-CH 100V 120APowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
漏源极电阻 - - 0.0039 Ω
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 315 W 338 W 375 W
阈值电压 4 V - 3.5 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 120A 120A 164A
输入电容(Ciss) 10500pF @25V(Vds) 9900pF @50V(Vds) 15265pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 315 W 338 W 375 W
工作温度(Max) 150 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 315W (Tc) 338W (Tc) 375000 mW
通道数 1 - -
输入电容 10750 pF - -
上升时间 62 ns - -
下降时间 106 ns - -
长度 - - 10.1 mm
宽度 - - 4.7 mm
高度 - - 9.4 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Rail, Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 - -