对比图
型号 HGTG11N120CND HGTG20N60A4D
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTG11N120CND 单晶体管, IGBT, 43 A, 2.4 V, 298 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚单晶体管, IGBT, 70 A, 2.7 V, 290 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3
针脚数 3 3
耗散功率 298 W 290 W
击穿电压(集电极-发射极) 1200 V 600 V
反向恢复时间 70 ns 35 ns
额定功率(Max) 298 W 290 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 298000 mW 290000 mW
上升时间 - 12 ns
下降时间 - 32 ns
额定电压(DC) 1.20 kV -
额定电流 43.0 A -
极性 N-Channel -
封装 TO-247-3 TO-247-3
高度 20.82 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 2014/12/17
REACH SVHC标准 No SVHC -
ECCN代码 EAR99 EAR99