MT47H64M8CF-25E:G和MT47H64M8JN-25E:G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MT47H64M8CF-25E:G MT47H64M8JN-25E:G MT47H64M8SH-25E:H

描述 DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 64Mx8 1.8V 60Pin FBGADRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 64Mx8 1.8V 60Pin FBGADDR DRAM, 64MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 8 X 10MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60

数据手册 ---

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 60 - 60

封装 FBGA-60 TFBGA-60 TFBGA-60

时钟频率 - - 400 MHz

位数 8 - 8

存取时间 - - 400 ps

存取时间(Max) 0.4 ns - 0.4 ns

工作温度(Max) 85 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ - 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

工作电压 1.80 V 1.80 V -

供电电流 125 mA - -

封装 FBGA-60 TFBGA-60 TFBGA-60

高度 0.8 mm - -

工作温度 0℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Bulk Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

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