SPP11N80C3和SPW11N80C3

对比图

型号 SPP11N80C3 SPW11N80C3 APT11N80KC3G

描述 INFINEON  SPP11N80C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 VINFINEON  SPW11N80C3  功率场效应管, MOSFET, 通用, N沟道, 6 A, 800 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 VTO-220AC N-CH 800V 11A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-220-3

引脚数 3 3 -

额定电压(DC) 800 V 800 V 800 V

额定电流 11.0 A 11.0 A 11.0 A

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 156 W 125 W 156 W

输入电容 - - 1.59 nF

栅电荷 - - 60.0 nC

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V

连续漏极电流(Ids) 11.0 A 11.0 A 11.0 A

输入电容(Ciss) 1600pF @100V(Vds) 1600pF @100V(Vds) 1585pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 156 W 156 W 156 W

耗散功率(Max) 156 W 156W (Tc) 156W (Tc)

额定功率 156 W 156 W -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.39 Ω 0.39 Ω -

阈值电压 3 V 3 V -

上升时间 15 ns 15 ns -

下降时间 7 ns 7 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

通道数 - 1 -

封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-220-3

长度 10.36 mm 16.13 mm -

宽度 4.57 mm 5.21 mm -

高度 9.45 mm 21.1 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -