BD17610和BD17610STU

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD17610 BD17610STU BD176-10

描述 Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 PinPower PNP 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。30W Switching PNP Plastic Leaded Transistor. 45V Vceo, 3A Ic, 63 - 160 hFE.

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Continental Device

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole -

引脚数 - 3 -

封装 - TO-126-3 -

频率 - 3 MHz -

额定电压(DC) - -45.0 V -

额定电流 - -3.00 A -

极性 - PNP -

耗散功率 - 30 W -

击穿电压(集电极-发射极) - 45 V -

集电极最大允许电流 - 3A -

最小电流放大倍数(hFE) - 63 @150mA, 2V -

额定功率(Max) - 30 W -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 30000 mW -

长度 - 8 mm -

宽度 - 3.25 mm -

高度 - 11.2 mm -

封装 - TO-126-3 -

材质 - Silicon -

工作温度 - 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

包装方式 - Rail -

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台