CY14B104N-BA20XCT和CY14B104N-BA20XI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY14B104N-BA20XCT CY14B104N-BA20XI CY14B104NA-BA20XI

描述 4兆位( 512K ×8 / 256K ×16 )的nvSRAM 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM4兆位( 512K ×8 / 256K ×16 )的nvSRAM 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM4兆位( 512K ×8 / 256K ×16 )的nvSRAM 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 48 48 48

封装 TFBGA-48 FBGA-48 FBGA-48

存取时间 - 20 ns -

存取时间(Max) 20 ns 20 ns 20 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V -

电源电压(Max) - - 3.6 V

电源电压(Min) - - 2.7 V

长度 - 10 mm -

宽度 - 6 mm -

高度 0.89 mm 0.89 mm -

封装 TFBGA-48 FBGA-48 FBGA-48

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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