IXFN26N90和IXFN39N90

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFN26N90 IXFN39N90 STE26NA90

描述 IXYS SEMICONDUCTOR  IXFN26N90  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 26 A, 900 V, 300 mohm, 10 V, 5 VN沟道 900V 39AN - CHANNEL 900V - 0.25ohm- 26A - ISOTOP快速功率MOSFET N - CHANNEL 900V - 0.25ohm- 26A - ISOTOP FAST POWER MOSFET

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Screw Chassis Screw

封装 SOT-227-4 SOT-227-4 ISOTOP

引脚数 3 - -

额定电压(DC) 900 V - 900 V

额定电流 26.0 A - 26.0 A

耗散功率 600 W 694W (Tc) 450W (Tc)

漏源极电压(Vds) 900 V 900 V 900 V

连续漏极电流(Ids) 26.0 A 39A 26.0 A

上升时间 35 ns - 52.0 ns

输入电容(Ciss) 10800pF @25V(Vds) 9200pF @25V(Vds) 1770pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 600W (Tc) 694W (Tc) 450W (Tc)

针脚数 3 - -

漏源极电阻 300 mΩ - -

极性 N-Channel N-CH -

阈值电压 5 V - -

隔离电压 2.50 kV - -

额定功率(Max) 600 W - -

下降时间 24 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 SOT-227-4 SOT-227-4 ISOTOP

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

重量 44.0 g - -

产品生命周期 Obsolete Not Recommended Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

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