RB751S-40TE61和RB751S40T1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 RB751S-40TE61 RB751S40T1G RB751S40,115

描述 肖特基二极管 Schottky barrier diodeON SEMICONDUCTOR  RB751S40T1G  小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 30 mA, 370 mV, 500 mA, 150 °CDiode Schottky 40V 0.12A 2Pin SC-79 T/R

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 肖特基二极管肖特基二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2 2

封装 SOD-523 SOD-523-2 SOD-523

额定电压(DC) 40.0 V 40.0 V -

额定电流 30.0 mA 30.0 mA -

电容 2.00 pF 2.50 pF -

输出电流 ≤30.0 mA ≤30.0 mA -

针脚数 - 2 -

正向电压 370mV @1mA 370mV @1mA 370mV @1mA

极性 Standard Standard -

耗散功率 - 200 mW 280 mW

热阻 - 635℃/W (RθJA) 450℃/W (RθJA)

反向恢复时间 - 6 ns -

正向电流 30 mA 30 mA -

最大正向浪涌电流(Ifsm) 0.2 A 500 mA -

正向电压(Max) 370mV @1mA 370 mV -

正向电流(Max) 30 mA 30 mA 0.12 A

工作温度(Max) 125 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -55 ℃ -65 ℃

工作结温 125℃ (Max) - 150℃ (Max)

耗散功率(Max) - - 280 mW

长度 1.2 mm 1.3 mm -

宽度 0.8 mm 0.8 mm -

高度 0.6 mm 0.6 mm 0.65 mm

封装 SOD-523 SOD-523-2 SOD-523

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Not For New Designs Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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