对比图
型号 CY7C1312CV18-250BZC CY7C1312CV18-250BZI CY7C1312CV18-250BZXC
描述 18 - Mbit的QDR - II⑩ SRAM 2字突发架构 18-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture18 - Mbit的QDR - II⑩ SRAM 2字突发架构 18-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture18 - Mbit的QDR - II⑩ SRAM 2字突发架构 18-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture
数据手册 ---
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类 存储芯片存储芯片存储芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 165 165 165
封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165
位数 18 18 18
存取时间 0.45 ns - -
存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns
工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ 0 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V
封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165
高度 - 0.89 mm 0.89 mm
工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃ (TA)
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Tray Tray Tray
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free