APT50M50L2LLG和IXFK80N50P

对比图

型号 APT50M50L2LLG IXFK80N50P APT50M50L2LL

描述 Trans MOSFET N-CH 500V 89A 3Pin(3+Tab) TO-264 MAXIXFK80N50P 系列 500 V 65 mOhm N 沟道 增强模式 功率 MOSFET功率MOS 7 R MOSFET POWER MOS 7 R MOSFET

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-264 TO-264-3 TO-264

引脚数 3 3 -

极性 - N-Channel N-CH

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 89.0 A 80.0 A 89A

额定电压(DC) 500 V 500 V -

额定电流 89.0 A 80.0 A -

漏源极电阻 - 65.0 mΩ -

耗散功率 893 W 1040 W -

输入电容 10.6 nF 1.28 nF -

栅电荷 200 nC 197 nC -

漏源击穿电压 - 500 V -

上升时间 22 ns 27 ns -

输入电容(Ciss) 10550pF @25V(Vds) 12700pF @25V(Vds) -

下降时间 8 ns 16 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 893000 mW 1040W (Tc) -

封装 TO-264 TO-264-3 TO-264

长度 - 19.96 mm -

宽度 - 5.13 mm -

高度 - 26.16 mm -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -